從上面可以看到，SMART 地址在0X4BDEh位置，內(nèi)容的長度是2D2。（補充：有的盤特別是新款盤，因為SMART的信息較在，所以SMART地址起始標(biāo)識位在0X98～0X9B，內(nèi)容長度地址起始標(biāo)識位在0X9Ch～0X9Fh。）

      接下來我們移到模塊的0X4BDEh位置，來看下

      0X4BDE偏移0X22位置后，就是我們平時在MHDD中看到的SMART內(nèi)容了，每項內(nèi)容長度為0XC，我用不同顏色標(biāo)注了前幾個內(nèi)容出來

    每項內(nèi)容前面第一個16進(jìn)制對印MHDD前面的序號如下面圖

注：上面MHDD圖和21模塊是不符的，我自己在網(wǎng)上隨便找的圖，只是用來講解用。

09：power-on time 通電時間對應(yīng)的就是21模塊里面的這段內(nèi)容 。

  通過這個段信息來看，這個盤的通電時間為1小時，如果大家想把他改大，就把他改成相應(yīng)你要的時間16進(jìn)制。

  其他的起轉(zhuǎn)次數(shù)等內(nèi)容在21模塊中不再詳解。

    現(xiàn)在21的SMART位置大家會找了，那是不是直接改完寫入就行了嗎？答案是否定的。在盤正常的情況下，21模塊是在緩存中。無輪你怎么修改，改完保存斷電通電后，原來 21緩存中的內(nèi)容會覆蓋你改好的21號模塊。所以怎么保存修改好的模塊才是重點。我給大家點提示。要么改變模塊的加載順序，來達(dá)到修改21，要么直接不要讓21加載進(jìn)內(nèi)存來修改，再不行直接把盤搞不認(rèn)，通過磁道來修改（這是最笨的方法了）。當(dāng)然方法還有很多。目的就是為了不讓21進(jìn)緩存。才能達(dá)到修改的目的。SMART的其他項目也能修改。